碳化硅二極管（Schottky Barrier Diode，SBD）與Si二極管相比，顯著優點是阻斷電壓提高，幾乎無反向恢復以及更好的熱穩定性，且反向恢復特性不受溫度影響。

碳化硅二極管結合了肖特基結構所擁有的出色的開關特性和PiN結構所擁有的低漏電流的特點。